一 : 可控硅的测量方法

1. 可控硅的特性。(www.61k.com］ 可控硅分单向可控硅、双向可控硅。单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚。双向可控硅有第一阳极A1（T1），第二阳极A2（T2）、控制极G三个引出脚。 只有当单向可控硅阳极A与阴极K之间加有正向电压，同时控制极G与阴极间加上所需的正向触发电压时，方可被触发导通。此时A、K间呈低阻导通状态，阳极A与阴极K间压降约1V。单向可控硅导通后，控制器G即使失去触发电压，只要阳极A和阴极K之间仍保持正向电压，单向可控硅继续处于低阻导通状态。只有把阳极A电压拆除或阳极A、阴极K间电压极性发生改变（交流过零）时，单向可控硅才由低阻导通状态转换为高阻截止状态。单向可控硅一旦截止，即使阳极A和阴极K间又重新加上正向电压，仍需在控制极G和阴极K间有重新加上正向触发电压方可导通。单向可控硅的导通与截止状态相当于开关的闭合与断开状态，用它可制成无触点开关。 双向可控硅第一阳极A1与第二阳极A2间，无论所加电压极性是正向还是反向，只要控制极G和第一阳极A1间加有正负极性不同的触发电压，就可触发导通呈低阻状态。此时A1、A2间压降也约为1V。双向可控硅一旦导通，即使失去触发电压，也能继续保持导通状态。只有当第一阳极A1、第二阳极A2电流减小，小于维持电流或A1、A2间当电压极性改变且没有触发电压时，双向可控硅才截断，此时只有重新加触发电压方可导通。 2. 单向可控硅的检测。 万用表选电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑表笔的引脚为控制极G，红表笔的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。此时将黑表笔接已判断了的阳极A，红表笔仍接阴极K。此时万用表指针应不动。用短线瞬间短接阳极A和控制极G，此时万用表电阻挡指针应向右偏转，阻值读数为10欧姆左右。如阳极A接黑表笔，阴极K接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。 3. 双向可控硅的检测。 用万用表电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大。若一组为数十欧姆时，该组红、黑表所接的两引脚为第一阳极A1和控制极G，另一空脚即为第二阳极A2。确定A1、G极后，再仔细测量A1、G极间正、反向电阻，读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极A1，红表笔所接引脚为控制极G。将黑表笔接已确定的第二阳极A2，红表笔接第一阳极A1，此时万用表指针不应发生偏转，阻值为无穷大。再用短接线将A2、G极瞬间短接，给G极加上正向触发电压，A2、A1间阻值约10欧姆左右。随后断开A2、G间短接线，万用表读数应保持10欧姆左右。互换红、黑表笔接线，红表笔接第二阳极A2，黑表笔接第一阳极A1。同样万用表指针应不发生偏转，阻值为无穷大。用短接线将A2、G极间再次瞬间短接，给G极加上负的触发电压，A1、A2间的阻值也是10欧姆左右。随后断开A2、G极间短接线，万用表读数应不变，保持在10欧姆左右。符合以上规律，说明被测双向可控硅未损坏且三个引脚极性判断正确。 检测较大功率可控硅时，需要在万用表黑笔中串接一节1.5V干电池，以提高触发电压。 晶闸管(可控硅)的管脚判别 晶闸管管脚的判别可用下述方法： 先用万用表R*1K挡测量三脚之间的阻值，阻值小的两脚分别为控制极和阴极，所剩的一脚为阳极。再将万用表置于R*10K挡，用手指捏住阳极和另一脚，且不让两脚接触，黑表笔接阳极，红表笔接剩下的一脚，如表针向右摆动，说明红表笔所接为阴极，不摆动则为控制极。

双向可控硅的测量方法（教你一招）

用万用表R×1档分别测量管子任意二引出脚间的阻值，有一组为几十欧姆，另二组为无穷大，阻值为几十欧姆的二脚分别为T1和G，另一脚就是T2，然后断定T1和G中任一脚为T1，用黑表笔接T1，红表笔接T2，将T2与假定的G瞬间短路，如果万用表读数由无穷大就成几十欧姆，说明管子维持导通，调换二表笔重复上述操作，结果相同时，说明假定是正确的。如果调换表笔操作时，万用表瞬间指示为几十欧姆后又指示到无穷大，说明管子没有维持导通，可见原假定不对，假定的T1实际是G，假定的G实 际是T1。

单相可控硅

用万用表R×1K档测量可控硅极间的正反向电阻，选出正反向电阻相差很大的两个极，其中在所测阻值较小的那次测量中，黑表笔所接为控制极(G)，红表笔所接的为阴极(K)，剩下的一极就为阳极(A)。

可控硅测量 可控硅的测量方法

单相与双相的判别测量

、单、双向可控硅的判别：先任测两个极，若正、反测指针均不动（R×1挡），可能是A、K或G、A极（对单向可控硅）也可能是T2、T1或T2、G极（对双向可控硅）。(www.61k.com]若其中有一次测量指示为几十至几百欧，则必为单向可控硅。且红笔所接为K极，黑笔接的为G极，剩下即为A极。若正、反向测批示均为几十至几百欧，则必为双向可控硅。再将旋钮拨至R×1或R×10挡复测，其中必有一次阻值稍大，则稍大的一次红笔接的为G极，黑笔所接为T1极，余下是T2极。

一些可控硅的参数

单相可控硅 额定平均Ir(A)

额定Ir(A) 击穿Vdrm/Vrrm(V) 触发Igr

TSE169 1 ≥600 10-100uA T0-92

TSE100-8 1 ≥600 10-100uA T0-92

TSE02 2 ≥600 10-100uA T0-92M

TSE2P4M 2 ≥600 10-100uA T0-126,T0-202,T0-202B

TSE0405 5 ≥600 10-100uA T0-126C,T0-202B

TSE151 8 ≥600 1-10mA T0-220,T0-220F

TSE152 12 ≥600 1-10mA T0-220

TSE153 15 ≥600 1-10mA T0-220

TSE610 10 ≥600 1-10mA T0-220

TSE612 12 ≥600 1-10mA T0-220

TSE616 16 ≥600 1-10mA T0-220

TSE620 20 ≥600 1-10mA T0-220

可控硅测量 可控硅的测量方法

一些进品双相可控硅参数

可控硅测量 可控硅的测量方法

彩电单、双向可控硅型号代

BT131 1A 600V

BT134 2A 600V

BT136 4A 600V

BT137 8A 600V

BT138 12A 600V

CW12代替：MC21、3CT01、SMORS、3CTS05

MCR100代替：2N6564、2N6565、3CT051

BTA10代替：3CTS10；

BTA12代替：BCR12AM

CR03AM代替：SFOR3、3CT04

BCR3AM代替：AC03：3CTS3

M23代替：CSM3B、CSM2B

BA08代替：BTA06、3CTS10

BCR3AM代替：SF5、3CT103、BCR3AM、FSM3B、3CTS3、

CSM5B代替：3CT103、SM3、3CTS3

MCR100-*代替：2N6564、2N6565、SM8、3CT10

BTA12代替：3CTS10、BCR12AM、CR3CM、3CT102

小型双向风扇常用

MAC97A6=400V/0.8A双向可控硅

MAC97A8为双向可控硅，MAC97A8 PHILIPS 600V 0.8A =MCR97A8

双向可控硅的测量方法

在实际应用时，规定采用I+、I-、Ⅲ-三种方式，且以I+和Ⅲ-两种方式用得最广，下面采用这两种方式进行判别，并以最常见的小功率双向可控硅为例。[www.61k.com）

(1)判别电极首先确定T2：两支表棒随意接触管子的任意两个电极，并轮流改换接法，直至找到显示值为0．1～1V(该电压在此记为T1与G之间的压降Ugt1)时，空置的电极即为T2。

可控硅测量 可控硅的测量方法

其次确定T1与G2用红表棒接触T2，黑表棒接触其余两极中的任一个(暂且假定为T1)，万用表应显示溢出。［www.61k.com]接着将红表棒滑向另一电极(暂且假定为G)，使得红表棒短接这两个电极，如果显示值比Ugt1略低，说明管子已被触发导通(I+触发方式)，证明以上假定成立，即黑表棒接的即是T1。如果在红表棒滑向另—极后显示值为Ugt1，则只需将黑表棒改接至另一未知极重复上述步骤， 定能得出正确结果。

(2)触发性能判别双向晶闸管需要考察两个方向的工作状况，下面分别介绍。

红表棒接T2，黑表棒接T1，此时应显示溢出(关断状态)。把红表棒滑向G，并且使T2与G这两极接通，此时管子将进入导通状态，应显示比Ugt1略低的数值。接着，在红表棒不断开T2的前提下而脱离G，对于触发灵敏度高、维持电流小的管子来说，此时管子仍然维持导通状态，显示值比触发导通时的略大，但低于Ugt1。

再用红表棒接触T1、黑表棒接解T2，此时应显示溢出。在黑表棒短接T2、G两极时，管子将导通，显示值比Ugt1略低。与上个方向相同，当黑表棒脱离G后，那些触发灵敏度高、维持电流小的管子将仍然保持导通状态。

实测一只TO-220封装的双向晶闸管BCR3AM(3A／600V)，首先判别电极：红、黑表棒在管子任意两电极间测量，当测得为0．578V即Ugt1时，便确定未与表棒相接的一极为T2。该管子本身带有一块小型散热片，通常它与T2极相连，此特征也可作为判别T2的依据。作为验证，测得T2与散热片间为0V，故T2判别正确。又将红表棒接T2，黑表棒任接其余两极之一，此时显示溢出。在红表棒短接T2和悬空的电极时显示0．546V，该电压小于Ugt1=0．578V，故黑表棒所接为T1，另一极则为G。

触发性能判别：红表棒接T2、黑表棒接T1，显示溢出(管子关断)。使红表棒短接T2与G，此时显示0．546V(管子导通)，当红表棒脱离G极时显示0．558V，显然，该值大于导通电压，而又小于Ugt1，管子处于维持导通状态。在检测相反方向的触发性能时，所得结果与上述极为接近，证明管子性能良好。

最佳答案

一、单向可控硅是一种可控整流电子元件，能在外部控制信号作用下由关断变为导通，但一旦导通，外部信号就无法使其关断，只能靠去除负载或降低其两端电压使其关断。单向可控硅是由三个PN结PNPN组成的四层三端半导体器件与具有一个PN结的二极管相比，单向可控硅正向导通受控制极电流控制；与具有两个PN结的三极管相比，差别在于可控硅对控制极电流没有放大作用。

二、双向可控硅具有两个方向轮流导通、关断的特性。双向可控硅实质上是两个反并联的单向可控硅，是由NPNPN五层半导体形成四个PN结构成、有三个电极的半导体器件。由于主电极的构造是对称的（都从N层引出），所以它的电极不像单向可控硅那样分别叫阳极和阴极，而是把与控制极相近的叫做第一电极A1，另一个叫做第二电极A2。双向可控硅的主要缺点是承受电压上升率的能力较低。这是因为双向可控硅在一个方向导通结束时，硅片在各层中的载流子还没有回到截止状态的位置，必须采取相应的保护措施。双向可控硅元件主要用于交流控制电路，如温度控制、灯光控制、防爆交流开关以及直流电机调速和换向等电路。

单向可控硅和双向可控硅，都是三个电极。单向可控硅有阴极（K）、阳极（A）、控制极（G）。双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成。即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连，其引出端称T2极，其中一只单向硅阴极与另一只阳极相连，其引出端称T2极，剩下则为控制极（G）。

1、单、双向可控硅的判别：先任测两个极，若正、反测指针均不动（R×1挡），可能是A、K或G、A极（对单向可控硅）也可能是T2、T1或T2、G极（对双向可控硅）。若其中有一次测量指示为几十至几百欧，则必为单向可控硅。且红笔所接为K极，黑笔接的为G极，剩下即为A极。若正、反向测批示均为几十至几百欧，则必为双向可控硅。再将旋钮拨至R×1或R×10挡复测，其中必有一次阻值稍大，则稍大的一次红笔接的为G极，黑笔所接为T1极，余下是T2极。

可控硅测量 可控硅的测量方法

2、性能的差别：将旋钮拨至R×1挡，对于1~6A单向可控硅，红笔接K极，黑笔同时接通G、A极，在保持黑笔不脱离A极状态下断开G极，指针应指示几十欧至一百欧，此时可控硅已被触发，且触发电压低（或触发电流小）。［www.61k.com)然后瞬时断开A极再接通，指针应退回∞位置，则表明可控硅良好。

对于1~6A双向可控硅，红笔接T1极，黑笔同时接G、T2极，在保证黑笔不脱离T2极的前提下断开G极，指针应指示为几十至一百多欧（视可控硅电流大小、厂家不同而异）。然后将两笔对调，重复上述步骤测一次，指针指示还要比上一次稍大十几至几十欧，则表明可控硅良好，且触发电压（或电流）小。

若保持接通A极或T2极时断开G极，指针立即退回∞位置，则说明可控硅触发电流太大或损坏。可按图2方法进一步测量，对于单向可控硅，闭合开关K，灯应发亮，断开K灯仍不息灭，否则说明可控硅损坏。

对于双向可控硅，闭合开关K，灯应发亮，断开K，灯应不息灭。然后将电池反接，重复上述步骤，均应是同一结果，才说明是好的。否则说明该器件已损坏。

二 : 双向可控硅的检测方法

双向可控硅也有三个极，巳Ij控制饭G与第一阳极T1、第二阳极T2。（www.61k.com）实际上T1与T2是可互换使用的。双向可控硅的符号基本检测方法如上图所示。

1、极性判别

T1极与G极的判别：用万用表Rx10挡分别测量各极之间的正、反向电阻，如果发现某两个极之间的正、反阳电阻都很小(约150ll左右)，则这两个极是T1与G极。然后将万用表置‘f-Rx1挡，轮换测量这两个极的、反向电阻，测得的阻值较小的一次黑表笔所接为T1极，另一个为控制极C，余下的足T2极。以}双向可控硅是MAC97A6／M329型号，用MF47F型万用表所测。若用Rx100挡时测得的阻值有所不同(在500ll左右)，应注意。如测大功率可控硅则数据会有不同，小电流不可触发，万用表还需外加(串联)电压才可进行。

2、判别好坏与导通性

能将万用表置于Rxlk挡，测T1与T2、G与T1之间的阻值，如果阻值很小，说明可控硅已击穿。若测得的G与T2极的正、反向阻值均很大(正常应在数百欧左右)．则说明已断路。

判别可控硅的导通能力，可把万用表的黑表笔接T1极，红表笔接T2极。用一节干电池作触发电源(也可用另一只万用表Rx1代替)，这时表针呈导通状，干电池离开仍呈导通状，这是判别T1到T2的导通件能。其原理很简单，于电池的正极接T1，对G假干电池负极形成一个触发电压，电流通路为：从干电池十—T1一G一千电池，形成电流通路被触发，这时万用表也作为一个电源用，负表笔内+—T1—T2一正表笔内一，形成T1到T2的通路。

T2到T1的导通性能与此极性相反，町用同样方法进行判别。

经验表明，不同型号的可控硅所用万用表的挡位不同，所测阻值也不一样。比如，用Rx100挡不易发现较小阻值时，改用Rx10挡就易发现了。可控硅型号不一样，所测阻值差异较大，比如，在测单向可控硅MCR100时，用万用表的电阻量程Rx1—R×1k挡轮流测量只能出现一个较小阻值(无第二个较大阻值)；叉如，在测单向可控硅FD315M时，用正、负表笔轮流测量时，用Rx100或RXlk捎测时有两个阻值，但不易发现哪个较小，若用Rx1或Rx10挡测就较易发现较小的阻值，用黑表笔确定G极，红表笔确定K极才易找到，所以千万不可死搬硬套。下图是几种可控硅的实测脚位图，供参考。

三 : 单向可控硅测试方法

用万用表测可控硅好坏，容易误判，且不能带电在线测量。(www.61k.com］最好的办法还是、要接强电和负载、并加触发电压测试。笔者在长期实践中，有一种最为简便可靠的测试方法。

某可控硅SCR控制器主电路如图l的虚线框内所示，改用60W灯泡作负载，SCR为待测可控硅。准备一支二极管lN4007，正极接可控硅阳极，负极串联电流表碰触可控硅控制极，如灯泡亮（灯泡亮度比正常小），电流表指示几毫安以下，可控硅是好的。如果电流很大，正好等于通过灯泡电流（90V电压加在60W灯泡上，约0.14A），显然AK没有电流通过，可控硅损坏断路了。有经验的电工不必串联电流表，按照碰触瞬间产生火花情况就可进行判断。如图1，先将二极管正极与SCR的A极连接牢固，再把二极管负极碰触SCR的G极，对于好的SCR，因通过二极管电流很小，不产生火花；如果SCR的AK断路，流过二极管的电流很大，就会有明显火花，所以两者情况不用电流表也可判断。如灯泡不亮（排除因线路故障无输出情况），肯定可控硅损坏。

用二极管接触可控硅AG，进行触发，它不要其他触发电源，也是安全的。

读者可能有顾虑，直接用强电触发，恐怕损坏可控硅或测试二极管，但分析产生触发过程表明：二极管在可控硅阳极A电压由零上升到O.7V以上时，开始有正向电流，到5V左右时，大多数可控硅即会导通，导通后AK正向电压仅（0.7～1）V左右，二极管在此低电压作用下。其通过GK的电流接近零。并且触发电压、电流、脉宽还能够根据可控硅需要量自动调整。图2是SCR触发过程电源电压曲线，最大值311V，粗线表示AK承受电压曲线，正向最大值由该可控硅所需要的触发电压和脉宽确定，仅几伏触发电流起作用的是画剖面线段的时间内，不足电源半周期的百分之一（图未按照实际比例）。如可控硅不通，负载是60W灯泡，测试二极管lN4007承受全部电流也没有问题，因此图1的电路对于被测可控硅和测试用二极管都是安全的（串联电流表时，开始用1A挡1。

笔者用单结晶体管、555两种触发电路和本测试方法，测试了一些可控硅触发情况，并测量可控硅GK正反向电阻（用MF35型表R×10挡，如附表所示。

5A/600V	单结晶体管电路能触发	0．015mA	100Ω	180Ω
5A/600V	单结晶体管电路能触发	0．1mA	150Ω	1．2kΩ
5A/600V	单结晶体管电路能触发	0．18mA	75Ω	1.9kΩ
2OA/800V	单结晶体管电路能触发	0．1mA	900	120Ω
l0A/800V	555电路能触发，单结晶体管电路不能	O．8mA	40Ω	9Ω
20A/800V	555电路能触发．单结晶体管电路不能	O.4mA	100Ω	800Ω
20A/800V	555电路能触发，单结晶体管电路不能	013mA	llΩ	600Ω
10A/800V	两种电路均不触发，本测试能触发	4．1mA	35Ω	350Ω
20A/800V	两种电路均不触发，本测试能触发	5．0mA	48nΩ	48Ω

表中反映较容易触发的可控硅（单结晶体管触发电路触发功率较小），测试的触发电流较小，但同一规格产品差别甚大，这一方面表明所需触发电压、脉宽的差异，还有一个重要因素是可控硅导通后正向电压降大小，因导通时间远大于触发时间，它对通过二极管电流影响更大。当所测电流较小时，该可控硅正向电压降也较小，这是一个优良SCR。

除SCR确实损坏，本电路无一例外都能触发。利用该测试电路把某些控制器上不能触发，但并未损坏的可控硅挑选出来，作整流管使用，如图3（a）中lOA可控硅AG并联1N4007后，相当图3（b）10A整流管。我用它们装配成给10kW发电机的励磁整流器，在农村某加油站使用，四年多没有出现故障。

四 : 单向可控硅和双向可控硅的作用和测量方法

可控硅导通条件：一是可控硅阳极与阴极间必须加正向电压，二是控制极也要加正向电压。以上2个条件 单向可控硅的工作原理图[1]必须同时具备，可控硅才会处于导通状态。另外，可控硅一旦导通后，即使降低控制极电压或去掉控制极电压，可控硅仍然导通。可控硅关断条件：降低或去掉加在可控硅阳极至阴极之间的正向电压，使阳极电流小于最小维持电流以下。

双向可控硅:
可控硅具有2个方向轮流导通、关断的特性。双向可控硅实质上是2个反并联的单向可控硅，是由NPNPN五层半导体形成4个PN结构成、有3个电极的半导体器件。由于主电极的构造是对称的（都从N层引出），所以它的电极不像单向可控硅那样分别叫阳极和阴极，而是把与控制极相近的叫做第一电极A1，另1个叫做第二电极A2。双向可控硅的主要缺点是承受电压上升率的能力较低。这是因为双向可控硅在1个方向导通结束时，硅片在各层中的载流子还没有回到截止状态的位置，必须采取相应的保护措施。双向可控硅元件主要用于交流控制电路，如温度控制、灯光控制、防爆交流开关以及直流电机调速和换向等电路。

二者比较
单向可控硅和双向可控硅，都是3个电极。单向可控硅有阴极（K）、阳极（A）、控制极（G）。双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成。即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连，其引出端称T1极，其中一只单向硅阴极与另一只阳极相连，其引出端称T2极，剩下则为控制极（G）。
单、双向可控硅的判别
先任测2个极，若正、反测指针均不动（R×1挡），可能是A、K或G、A极（对单向可控硅）也可能是T2、T1或T2、G极（对双向可控硅）。若其中有一次测量指示为几十至几百欧，则必为单向可控硅。且红笔所接为K极，黑笔接的为G极，剩下即为A极。若正、反向测批示均为几十至几百欧，则必为双向可控硅。再将旋钮拨至R×1或R×10挡复测，其中必有一次阻值稍大，则稍大的一次红笔接的为G极，黑笔所接为T1极，余下是T2极。
性能的差别
将旋钮拨至R×1挡，对于1~6A单向可控硅，红笔接K极，黑笔同时接通G、A极，在保持黑笔不脱离A极状态下断开G极，指针应指示几十欧至一百欧，此时可控硅已被触发，且触发电压低（或触发电流小）。然后瞬时断开A极再接通，指针应退回∞位置，则表明可控硅良好。

　　对于1~6A双向可控硅，红笔接T1极，黑笔同时接G、T2极，在保证黑笔不脱离T2极的前提下断开G极，指针应指示为几十至一百多欧（视可控硅电流大小、厂家不同而异）。然后将两笔对调，重复上述步骤测一次，指针指示还要比上一次稍大十几至几十欧，则表明可控硅良好，且触发电压（或电流）小。

　　若保持接通A极或T2极时断开G极，指针立即退回∞位置，则说明可控硅触发电流太大或损坏。可按图2方法进1步测量，对于单向可控硅，闭合开关K，灯应发亮，断开K灯仍不息灭，否则说［www.61k.com）明可控硅损坏。

　　对于双向可控硅，闭合开关K，灯应发亮，断开K，灯应不息灭。然后将电池反接，重复上述步骤，均应是同一结果，才说明是好的。否则说明该器件已损坏。

本文标题：单向可控硅测量方法-可控硅的测量方法
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