一 : 带图对比详解DDR3,DDR2,DDR内存条的区别

带图对比详解DDR3,DDR2,DDR内存条的区别【武汉电

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图1就是三代内存的全家照，从上到下分别是DDR3、DDR2、DDR。（www.61k.com]大家牢牢记住它们的样子，因为后面的内容会提到这幅图。

(图1)DDR3,DDR2,DDR外观区别

防呆缺口：位置不同防插错

图1红圈圈起来的就是我们说的防呆缺口，目的是让我们安装内存时以免插错。我们从图1可以看见三代内存上都只有一个防呆缺口，大家注意一下这三个卡口的左右两边的金属片，就可以发现缺口左右两边的金属片数量是不同的。

比如DDR 内存单面金手指针脚数量为92个（双面184个），缺口左边为52个针脚，缺口右边为40个针脚；DDR2 内存单面金手指120个（双面240个），缺口左边为64个针脚，缺口右边为56个针脚；DDR3内存单面金手指也是120个（双面240个），缺口左边为72个针脚，缺口右边为48个针脚。

芯片封装：浓缩是精华

在不同的内存条上，都分布了不同数量的块状颗粒，它就是我们所说的内存颗粒。同时我们也注意到，不同规格的内存，内存颗粒的外形和体积不太一样，这是因为内存颗粒“包装”技术的不同导致的。一般来说，DDR内存采用了TSOP（Thin Small Outline Package，薄型小尺寸封装）封装技术，又长又大。而DDR2和DDR3内存均采用FBGA（底部球形引脚封装）封装技术，与TSOP相比，内存颗粒就小巧很多，FBGA封装形式在抗干扰、散热等方面优势明显。

ddr内存条 带图对比详解DDR3,DDR2,DDR内存条的区别

TSOP是内存颗粒通过引脚（图2黄色框）焊接在内存PCB上的，引脚由颗粒向四周引出，所以肉眼可以看到颗粒与内存PCB接口处有很多金属柱状触点，并且颗粒封装的外形尺寸较大，呈长方形，其优点是成本低、工艺要求不高，但焊点和PCB的接触面积较小，使得DDR内存的传导效果较差，容易受干扰，散热也不够理想。［www.61k.com）

(图2)一颗DDR现代内存芯片焊接细节-黄色部分为焊接引脚

FBGA封装把DDR2和DDR3内存的颗粒做成了正方形（图3），而且体积大约只有DDR内存颗粒的三分之一，内存PCB上也看不到DDR内存芯片上的柱状金属触点，因为其柱状焊点按阵列形式分布在封装下面，所有的触点就被“包裹”起来了，外面自然看不到。其优点是有效地缩短了信号的传导距离。

(图3)DDR2和DDR3的方形内存颗粒-这是DDR2/DDR3与DDR一大显著差别 速度与容量：成倍提升

前面我们教大家如何计算内存带宽大小，其实我们在选择内存和CPU搭配的时候就是看内存带宽是否大于或者等于CPU的带宽，这样才可以满足CPU的数据传输要求。

ddr内存条 带图对比详解DDR3,DDR2,DDR内存条的区别

而我们从带宽公式（带宽＝位宽×频率÷8）可以得知，和带宽关系最紧密的就是频率。（www.61k.com）这也是为什么三代内存等效频率一升再升的原因之一，其目的就是为了满足CPU的带宽。

不仅速度上有所提升，而且随着我们应用的提高，我们也需要更大容量的单根内存，DDR时代卖得最火的是512MB和1GB的内存，而到了DDR2时代，两根1GB内存就只是标准配置了，内存容量为4GB的电脑也逐渐多了起来。甚至在今后还会有单根8GB的内存出现。这说明了人们的对内存容量的要求在不断提高。 延迟值：一代比一代高

任何内存都有一个CAS延迟值，这就好像甲命令乙做事情，乙需要思考的时间一样。一般而言，内存的延迟值越小，传输速度越快。

从DDR、DDR2、DDR3内存身上看到，虽然它们的传输速度越来越快，频率越来越高，容量也越来越大，但延迟值却提高了，譬如DDR内存的延迟值（第一位数值大小最重要，普通用户关注第一位延迟值就可以了）为1.5、2、2.5、3；而到了DDR2时代，延迟值提升到了3、4、5、6；到了DDR3时代，延迟值也继续提升到了5、6、7、8或更高。

功耗：一次又一次降低

电子产品要正常工作，肯定要有电。有电，就需要工作电压，该电压是通过金手指从主板上的内存插槽获取的，内存电压的高低，也反映了内存工作的实际功耗。一般而言，内存功耗越低，发热量也越低，工作也更稳定。DDR内存的工作电压为2.5V，其工作功耗在10W左右；而到了DDR2时代，工作电压从2.5V降至1.8V；到了DDR3内存时代，工作电压从1.8V降至1.5V，相比DDR2可以节省30%～40%的功耗。为此我们也看到，从DDR内存发展到DDR3内存，尽管内存带宽大幅提升，但功耗反而降低，此时内存的超频性、稳定性等都得到进一步提高。 制造工艺：不断提高

从DDR到DDR2再到DDR3内存，其制造工艺都在不断改善，更高的工艺水平会使内存电气性能更好，成本更低。譬如DDR内存颗粒广泛采用0.13微米制造工艺，而DDR2颗粒采用了0.09微米制造工艺，DDR3颗粒则采用了全新65nm制造工艺（1微米＝1000纳米）。

总结

内存的知识就讲到这里了，总的说来，内存主要扮演着CPU数据仓库的角色，所以CPU性能的提升，内存的容量和性能都要跟得上，但也不可盲目地把内存容量配得过大。对于大多数用户来说2GB DDR2 800的内存就足够了，而偏高端一点的电脑使用总容量为4GB的内存就差不多了。

二 : 新版DDR4内存比DDR3快多少？内存ddr3和ddr4的区别解答

虽然DDR4于2014年开始上市，但是DDR4内存将在今年全面开始流行普及，那么DDR4内存比DDR3快多少？这是不少DIYer用户关注的一个话题，今天61阅读小编就来全面解答介绍ddr3和ddr4之间的区别及改进，有兴趣的朋友们可以了解下哦。

首先，DDR4内存是DDR3的升级版，属于下一代版本，别看DDR3依旧是主流，但今后大多数新平台电脑都会逐渐普及DDR4，这主要是由于DDR4性能更强，并且功耗更低，而价格与DDR3相差无几。

决定内存性能最重要的方面在于 频率 和 带宽。那么，DDR4内存比DDR3快多少？首先我们来看看两者的区别，如下：

1、DDR3内存起始频率为800，最高频率达到了2133。DDR4内存起始频率就达到了2133，量产产品最高频率达到了3000，从内存频率来看，DDR4相比DDR3提升很大。

2、带宽方面，DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/S)的带宽，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超过70%。

DDR4和DDR3内存性能测试对比结果

从内存的核心指标来看，DDR4内存性能相比DDR3会有很大的提升，最高性能提升可以高达70%以上。

另外值得一提的是，DDR4内存工作电压更低了。此前，DDR3所需的标准电源供应是1.5V，而DDR4降至1.2V，移动设备设计的低功耗DDR4更降至1.1V，工作电压更低，意味着功耗更低。

总的来说，DDR4内存相比DDR3不仅大幅提升了性能，还降低功耗，此外价格也不贵。毫无疑问，DDR4内存会比DDR3更为值得推荐，只不过DDR4内存针脚有所改变，不兼容DDR3平台，仅适合新平台，略显遗憾。

以上就是61阅读小编为大家带来的DDR4内存与DDR3之间的区别，希望可以帮助到大家，大家如果还有疑问的话，可以在下方的评论框内给我们留言哦。我们会尽自己所能的为大家解答。谢谢大家一如既往的支持，也请大家继续关注61阅读的后续教程和软件。

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相比DDR3内存条DDR4有哪些改进

三 : DDR和DDR2，DDR3的区别以及如何从外观上分辨出来(图文)

1.防呆缺口 DDR内存单面金手指针脚数量为92个（双面184个），缺口左边为52个针脚，制品右边为40个针脚；

DDR2内存单面金手指120个（双面240个），缺口左边为64个针脚，缺口右边为56个针脚；

DDR3内存单面金手指也是120个（双面240个），缺口左边为72个针脚，缺口右边为48个针脚.

2、DDR内存的颗粒为长方形

DDR2和DDR3内存的颗粒为正方形,而且体积大约只有DDR内存颗粒的三分之一

3、使用电压不同
DDR2的电压1.8V
DDR3的电压1.5V


 











参数不同之处

电压 VDD/VDDQ	2.5V/2.5V	1.8V/1.8V(±0.1)	1.5V/1.5V(±0.075)
I/O接口	SSTL_25	SSTL_18	SSTL_15
数据传输率(Mbps)	200～400	400～800	800～2000
容量标准	64M～1G	256M～4G	512M～8G
Memory Latency(ns)	15～20	10～20	10～15
CL值	1.5/2/2.5/3	3/4/5/6	5/6/7/8
预取设计(Bit)	2	4	8
逻辑Bank数量	2/4	4/8	8/16
突发长度	2/4/8	4/8	8
封装	TSOP	FBGA	FBGA
引脚标准	184Pin	240Pin	240Pin

四 : DDR内存和DDR2内存的区别

　　与DDR相比，DDR2最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下，可以提供相当于DDR内存两倍的带宽。这主要是通过在每个设备上高效率使用两个DRAM核心来实现的。作为对比，在每个设备上DDR内存只能够使用一个DRAM核心。技术上讲，DDR2内存上仍然只有一个DRAM核心，但是它可以并行存取，在每次存取中处理4个数据而不是两个数据。

　　与双倍速运行的数据缓冲相结合，DDR2内存实现了在每个时钟周期处理多达4bit的数据，比传统DDR内存可以处理的2bit数据高了一倍。DDR2内存另一个改进之处在于，它采用FBGA封装方式替代了传统的TSOP方式。

　　然而，尽管DDR2内存采用的DRAM核心速度和DDR的一样，但是我们仍然要使用新主板才能搭配DDR2内存，因为DDR2的物理规格和DDR是不兼容的。首先是接口不一样，DDR2的针脚数量为240针，而DDR内存为184针；其次，DDR2内存的VDIMM电压为1.8V，也和DDR内存的2.5V不同。 

　　DDR2的定义：DDR2（Double Data Rate 2）

　　SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。

　　此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。

　　DDR2与DDR的区别：在了解DDR2内存诸多新技术前，先让我们看一组DDR和DDR2技术对比的数据。

　　1、延迟问题：从上表可以看出，在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。换句话说，虽然DDR2和DDR一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为200MHz，而DDR2则可以达到400MHz。 这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的DDR和DDR2内存中，后者的内存延时要慢于前者。举例来说，DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实际上，DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽，它们都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作频率是200MHz，而DDR2-400的核心工作频率是100MHz，也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。

　　2、封装和发热量： DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。 DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200MHz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP封装形式，FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。 DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。//本文来自61阅读www.61k.com转载请注明

　　DDR2采用的新技术：除了以上所说的区别外，DDR2还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和Post CAS。 OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。

　　DDR II通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。

　　ODT：ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。

　　Post CAS：它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。在Post CAS操作中，CAS信号（读写/命令）能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟（Additive Latency）后面保持有效。原来的tRCD（RAS到CAS和延迟）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。 

　　总的来说，DDR2采用了诸多的新技术，改善了DDR的诸多不足，虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足，但相信随着技术的不断提高和完善，这些问题终将得到解决。

五 : 猜想：DDR3不能取代DDR2的三大理由

　　大家都熟悉的个人PC电脑已经伴随我们度过了40多个春秋，在这段时间里可以说电脑的形态及模式一直都没有什么大的改变，而电脑内部配件也是配合电脑整体发展而进行不断更新换代。自从电脑配件中的内存被独立出来以后，就一直受到人们的关注。

　　在内存的发展史上，内存被独立出来是在80286主板刚推出的时候，内存条采用了SIMM接口，针脚为30pin，容量是256KB。随后内存相继经历了EDO DRAM时代、SDRAM时代、DDR时代和DDR2时代。而随着今年亚洲最大规模的台北国际计算机展落下帷幕，DDR3内存终于浮出了水面。之前业界对DDR3的普及问题一直众说纷纭，今天笔者也来谈一下DDR3不能取代DDR2的几个理由。

●前车之鉴

　　并不是每次升级换代都是成功的，之前也有很多新产品、新技术刚刚发布就被人们所遗忘。其中有的是出于市场策略的失败，而有的是因为竞争对手的打压等等而相继退出市场。笔者在此举一个例子：VCM虚拟通道内存，它是NEC公司开发的“缓冲式DRAM”，该技术在大容量SDRAM中采用。VCM的失败只能归咎于其过高的成本。在上市初期，它几乎比同容量的SDRAM贵一倍，这也注定其前景渺茫。而且伴随当时技术先进的DDR推出，更是将VCM内存逼上断头台。除此之外，RAMBUS内存也是一个失败的案例。

●价格是最大因素

　　内存厂商芝奇(G.SKILL)新近推出的DDR3-1333内存，这也是中关村首款在卖场出现的实物DDR3内存。据经销商透露，芝奇这对DDR3-1333内存套装售价不菲，预计零售价格将高达6000元人民币/套，这样的价钱足以组建一套中端游戏平台。目前主流1GB DDR2-667内存平均价格在310元左右，而价格相对“便宜”的1GB DDR3-1066内存也在1600左右，两者之间相差了5倍之多。

●DDR3内存的高延迟缺点

　　所谓内存的延迟，通俗地讲就是内存与CPU、总线发生数据交换前，系统等待内存响应的这个时间周期，这个数值越小越好。打个形象的比喻，就像你在餐馆里用餐的过程一样，你首先要点菜，然后就等待服务员给你上菜。同样的道理，内存延迟时间设置的越小，电脑从内存中读取数据的速度也就越快，进而电脑其他的性能也就越高。

　　DDR3内存依然存在高延迟的老毛病，比前辈DDR2还要夸张，就拿常规1GB DDR3-1066内存为例，标准延迟参数为CL=7，而很多DDR3-1333的延迟值甚至达到了9个周期以上。而这个通病同样在显卡上也有出现，目前显卡的显存已经出现了GDDR4显存芯片，也是有过高延迟的缺点。

●DDR3内存的超前性

　　为了取代P965芯片组，英特尔相继也推出了基于BearLake架构的全新芯片组。BearLake架构芯片组共分为集成显卡的G31、G33和G35 Express、支持vPro平台的Q33和Q35 Express，面向主流市场的P35 Express以及面向高端的X38 Express，共七款芯片组。BearLake架构芯片组的最大特点是支持45nm工艺制程的处理器，并支持DDR3内存。

　　虽然已经开始有支持DDR3内存的主板销售，但是目前在市场还是相对少见，而且其价格也是非常昂贵。目前市面上主要出售的P35主板仍然以支持DDR2内存为主，其主要原因还是DDR3并没有得到很好普及，所以主板厂商认为还没有必要推出完全支持DDR3内存的产品。

　　总结：面对如此昂贵的DDR3内存，如果要普及肯定需要花费很长一段时间，而且目前P35相比P965芯片组，增加了对1333MHz前端总线和DDR3-1066内存的完美支持，但是现在DDR2同样有DDR2-1066内存产品，甚至还有DDR2-1200的发烧产品。在同频率条件下，DDR2相比DDR3具有低延迟、低价格等诸多优势，那么我们又有什么理由去选择DDR3内存呢？ 本文标题：ddr2和ddr3的区别-带图对比详解DDR3,DDR2,DDR内存条的区别
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