一 : 笔记本电脑显示器不亮的原因及解决方法

笔记本电脑显示器不亮是怎么回事?

作为一个经常接触电脑的人来说，显示器则必须是他要长期面对的。（www.61k.com）人们常说电脑直接影响人体健康的三要素是键盘、鼠标、显示器。

下面，我们就来看看笔记本电脑显示器不亮的原因及解决方法。

问题描述：

笔记本开机显示器亮了一下出来标识就不出图案了，笔记本接电视开机电视有图案能正常用着是怎么了，那里坏了?

笔记本买了好几年了，牌子是康博的，笔记本电脑配置比较差，买的时间太久了，当时买的价格还很贵，和现在的新电脑配置比一下，那性能差的不是一点半点。

分析回答：

1.外接屏是好的 说明可能是屏的问题 排线的问题，首先从系统、驱动等方面考虑 不行的话就去让专业人士看看硬件的问题吧。

2.你说的那个亮度图案不出来了，就是你重装了系统，原厂的电源管理没有了。你去它官方网找下电源管理安装下。

3.显示屏或连接的视频线存在问题，或显卡或显卡驱动问题，试开机按F8 ，看能否选择VGA 模式，如果可以，试卸载显卡驱动，重新启动电脑后，重装显卡驱动看看。

4.从你说的情况看，笔记本的液晶屏出问题可能性大，找专业人员看看。硬件部分自己修不来的。

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二 : （转）apt-getupdate更新ubuntu时出现Hashsummismatch的原因及解决方法

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三 : MOS管被击穿的原因及解决方案(全)52

MOS管被击穿的原因及解决方案（转）

而MOS管被击穿的原因及解决方案如下：

第一、MOS管本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（U=Q/C），将管子损坏。虽然ＭＯＳ输入端有抗静电的保护措施，但仍需小心对待，在存储和运输中最好用金属容器或者导电材料包装，不要放在易产生静电高压的化工材料或化纤织物中。组装、调试时，工具、仪表、工作台等均应良好接地。要防止操作人员的静电干扰造成的损坏，如不宜穿尼龙、化纤衣服，手或工具在接触集成块前最好先接一下地。对器件引线矫直弯曲或人工焊接时，使用的设备必须良好接地。

第二、ＭＯＳ电路输入端的保护二极管，其导通时电流容限一般为１ｍＡ?在可能出现过大瞬态输入电流（超过１０ｍＡ）时，应串接输入保护电阻。而129#在初期设计时没有加入保护电阻，所以这也是MOS管可能击穿的原因，而通过更换一个内部有保护电阻的MOS管应可防止此种失效的发生。还有由于保护电路吸收的瞬间能量有限，太大的瞬间信号和过高的静电电压将使保护电路失去作用。所以焊接时电烙铁必须可靠接地，以防漏电击穿器件输入端，一般使用时，可断电后利用电烙铁的余热进行焊接，并先焊其接地管脚。

附录：

静电的基本物理特征为：有吸引或排斥的力量；有电场存在，与大地有电位差；会产生放电电流。这三种情形会对电子元件造成以下影响：

1.元件吸附灰尘，改变线路间的阻抗，影响元件的功能和寿命。

2.因电场或电流破坏元件绝缘层和导体，使元件不能工作（完全破坏）。

3.因瞬间的电场软击穿或电流产生过热，使元件受伤，虽然仍能工作，但是寿命受损。 上述这三种情况中，如果元件完全破坏，必能在生产及品质测试中被察觉而排除，影响较少。如果元件轻微受损，在正常测试中不易被发现，在这种情形下，常会因经过多次加工，甚至已在使用时，才被发现破坏，不但检查不易，而且损失亦难以预测。静电对电子元件产生的危害不亚于严重火灾和爆炸事故的损失

电子元件及产品在什么情况下会遭受静电破坏呢？可以这么说：电子产品从生产到使用的全过程都遭受静电破坏的威胁。从器件制造到插件装焊、整机装联、包装运输直至产

品应用，都在静电的威胁之下。在整个电子产品生产过程中，每一个阶段中的每一个小步骤，静电敏感元件都可能遭受静电的影响或受到破坏，而实际上最主要而又容易疏忽的一点却是在元件的传送与运输的过程。在这个过程中，运输因移动容易暴露在外界电场（如经过高压设备附近、工人移动频繁、车辆迅速移动等）产生静电而受到破坏，所以传送与运输过程需要特别注意，以减少损失，避免无所谓的纠纷。

MOS场效应管

即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达1015Ω）。它也分N沟道管和P沟道管，符号如图1所示。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。耗尽型则是指，当VGS=0时即形成沟道，加上正确的VGS时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。

以N沟道为例，它是在P型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区N+和漏扩散区N+，再分别引出源极S和漏极D。源极与衬底在内部连通，二者总保持等电位。图1（a）符号中的前头方向是从外向电，表示从P型材料（衬底）指身N型沟道。当漏接电源正极，源极接电源负极并使VGS=0时，沟道电流（即漏极电流）ID=0。随着VGS逐渐升高，受栅极正电压的吸引，在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子，形成从漏极到源极的N型沟道，当VGS大于管子的开启电压VTN（一般约为+2V）时，N沟道管开始导通，形成漏极电流ID。

国产N沟道MOSFET的典型产品有3DO1、3DO2、3DO4（以上均为单栅管），4DO1（双栅管）。它们的管脚排列（底视图）见图2。

MOS场效应管比较“娇气”。这是由于它的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，

极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（U=Q/C），将管子损坏。因此了厂时各管脚都绞合在一起，或装在金属箔内，使G极与S极呈等电位，防止积累静电荷。管子不用时，全部引线也应短接。在测量时应格外小心，并采取相应的防静电感措施。下面介绍检测方法。

1． 准备工作

测量之前，先把人体对地短路后，才能摸触MOSFET的管脚。最好在手腕上

接一条导线与大地连通，使人体与大地保持等电位。再把管脚分开，然后拆掉导线。

2． 判定电极

将万用表拨于R×100档，首先确定栅极。若某脚与其它脚的电阻都是无穷大，

证明此脚就是栅极G。交换表笔重测量，S-D之间的电阻值应为几百欧至几千欧，其中阻值较小的那一次，黑表笔接的为D极，红表笔接的是S极。日本生产的3SK系列产品，S极与管壳接通，据此很容易确定S极。

3． 检查放大能力（跨导）

将G极悬空，黑表笔接D极，红表笔接S极，然后用手指触摸G极，表针应

有较大的偏转。双栅MOS场效应管有两个栅极G1、G2。为区分之，可用手分别触摸G1、G2极，其中表针向左侧偏转幅度较大的为G2极。

目前有的MOSFET管在G-S极间增加了保护二极管，平时就不需要把各管脚

短路了。

VMOS场效应管

VMOS场效应管（VMOSFET）简称VMOS管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高（≥108W）、驱动电流小（左右0.1μA左右），还具有耐压高（最高可耐压1200V）、工作电流大（1.5A～100A）、输出功率高（1～250W）、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集

于一身，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。

众所周知，传统的MOS场效应管的栅极、源极和漏极大大致处于同一水平面的芯片上，其工作电流基本上是沿水平方向流动。VMOS管则不同，从图1上可以看出其两大结构特点:第一，金属栅极采用V型槽结构；第二，具有垂直导电性。由于漏极是从芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流动，而是自重掺杂N+区（源极S）出发，经过P沟道流入轻掺杂N-漂移区，最后垂直向下到达漏极D。电流方向如图中箭头所示，因为流通截面积增大，所以能通过大电流。由于在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层，因此它仍属于绝缘栅型MOS场效应管。

国内生产VMOS场效应管的主要厂家有877厂、天津半导体器件四厂、杭州电子管厂等，典型产品有VN401、VN672、VMPT2等。表1列出六种VMOS管的主要参数。其中，IRFPC50的外型如图3所示。

下面介绍检测VMOS管的方法。

1． 判定栅极G

将万用表拨至R×1k档分别测量三个管脚之间的电阻。若发现某脚与其字

两脚的电阻均呈无穷大，并且交换表笔后仍为无穷大，则证明此脚为G极，因为它和另外两个管脚是绝缘的。

2． 判定源极S、漏极D

由图1可见，在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻

存在差异，可识别S极与D极。用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是S极，红表笔接D极。

3．测量漏-源通态电阻RDS（on）

将G-S极短路，选择万用表的R×1档，黑表笔接S极，红表笔接D极，阻值应为几欧至十几欧。

由于测试条件不同，测出的RDS（on）值比手册中给出的典型值要高一些。例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W，大于0.58W（典型值）。

4．检查跨导

将万用表置于R×1k（或R×100）档，红表笔接S极，黑表笔接D极，手持螺丝刀去碰触栅极，表针应有明显偏转，偏转愈大，管子的跨导愈高。

注意事项：

（1）VMOS管亦分N沟道管与P沟道管，但绝大多数产品属于N沟道管。对于P沟道管，测量时应交换表笔的位置。

（2）有少数VMOS管在G-S之间并有保护二极管，本检测方法中的1、2项不再适用。

（3）目前市场上还有一种VMOS管功率模块，专供交流电机调速器、逆变器使用。例如美国IR公司生产的IRFT001型模块，内部有N沟道、P沟道管各三只，构成三相桥式结构。

（4）现在市售VNF系列（N沟道）产品，是美国Supertex公司生产的超高频功率场效应管，其最高工作频率fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源小信号低频跨导gm=2000μS。适用于高速开关电路和广播、通信设备中。

MOS管被击穿的原因及解决方案(全)52_mos管

（5）使用VMOS管时必须加合适的散热器后。以VNF306为例，该管子加

装140×140×4（mm）的散热器后，最大功率才能达到30W

场效应晶体管

场效应晶体管(FET)简称场效应管，它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。

按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。

场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。见附图1。

MOS场效应晶体管使用注意事项。

MOS场效应晶体管在使用时应注意分类，不能随意互换。MOS场效应晶体管由于输入阻抗高（包括MOS集成电路）极易被静电击穿，使用时应注意以下规则：

1. MOS器件出厂时通常装在黑色的导电泡沫塑料袋中，切勿自行随便拿个塑料袋装。

也可用细铜线把各个引脚连接在一起，或用锡纸包装

2.取出的MOS器件不能在塑料板上滑动，应用金属盘来盛放待用器件。

3. 焊接用的电烙铁必须良好接地。

4. 在焊接前应把电路板的电源线与地线短接，再MOS器件焊接完成后在分开。

5. MOS器件各引脚的焊接顺序是漏极、源极、栅极。拆机时顺序相反。

6.电路板在装机之前，要用接地的线夹子去碰一下机器的各接线端子，再把电路板接上去。

7. MOS场效应晶体管的栅极在允许条件下，最好接入保护二极管。在检修电路时应注意查证原有的保护二极管是否损坏。

场效应管的测试。

下面以常用的3DJ型N沟道结型场效应管为例解释其测试方法：

3DJ型结型场效应管可看作一只NPN型的晶体三极管，栅极G对应基极b，漏极D对应集电极c，源极S对应发射极e。所以只要像测量晶体三极管那样测PN结的正、反向电阻既可。把万用表拨在R*100挡用黑表笔接场效应管其中一个电极，红表笔分别接另外两极，当出现两次低电阻时，黑表笔接的就是场效应管的栅极。红表笔接的就是漏极或源极。对结型场效应管而言，漏极和源极可以互换。对于有4个管脚的结型场效应管，另外一极是屏蔽极（使用中接地）。

目前常用的结型场效应管和MOS型绝缘栅场效应管的管脚顺序如图2所示。

场效应晶体管的好坏的判断。

先用MF10型万用表R*100KΩ挡（内置有15V电池），把负表笔（黑）接栅极（G），正表笔（红）接源极（S）。给栅、源极之间充电，此时万用表指针有轻微偏转。再该用万用表R*1Ω挡，将负表笔接漏极（D），正表笔接源极（S），万用表指示值若为几欧姆，则说明场效应管是好的。

四 : 巴西木叶子发黄原因及解决方法

图：巴西木叶子发黄

【常见问题】巴西木叶子发黄原因及解决方法

【专家解答】

巴西木叶子发黄的原因及解决方法：

1、水土偏碱

巴西木盆栽以腐叶土、培养土和粗沙的混合土最好，如果选用的土壤不合适，土中缺乏可被其吸收的可溶性铁等元素，叶片就会逐渐变黄。栽植时要选用适合的泥土，生长期间经常浇矾肥水。

2、浇水过多

巴西木需要水分不多，要求周围环境空气湿度高，但不宜盆土积水，以免通风透气不良引起烂根，浇水过多会让巴西木盆土长期过湿，造成土中缺氧，使部分须根腐烂，阻碍正常呼吸和水分养分的吸收，引起叶片变黄脱落。这种情况的解决方法就是立即控制浇水，暂停施肥，并经常松土，使土壤通气良好。

3、浇水过少

巴西木对周围空间环境的湿润度要求比较高，如果巴西木的浇水过少，周围空气也比较干燥，也易引起叶色暗淡无光泽，叶片萎蔫下垂，枯黄脱落。这种情况的解决方法就是少量浇水并喷水，使其逐渐复原后再转入正常浇水。

4、空气干燥

巴西木对周围环境的湿度要求比较高，如果室内空气过分干燥时，巴西木往往会出现叶片叶尖变黄现象，这时候要注意采取喷水、套塑料薄膜罩等法增加空气湿度来给巴西木一个湿度比较好的生长环境。

5、光照不足

巴西木喜阳光，若将巴西木长期放在蔽荫处或光线不足的地方，就会导致枝叶发黄。这时候需要迟到光线充足但不强烈的地方来种植。

6、密不通风

巴西木若施氮肥过多，枝叶长得进于茂盛，加上长期未修剪，致使内膛枝叶光线不足，容易引起叶片发黄脱落。应合理施肥并加强修剪，使之通风透光。

7、施肥不足

巴西木需要继续进行持续施肥，长期没有施氨肥或未换盆换土，土中氮素等营养元素缺乏，导致枝叶瘦弱，叶片枯黄。此时的解决方法就是及时换入新的疏松肥沃的培养土逐渐增施稀薄腐熟液肥或复合花肥。

【61阅读点评】巴西木在养殖过程出现叶子变黄枯萎是种常见的情况，造成这种现象的原因有很多，以上是第一农经小编归纳整理出来的各种原因和针对性不同（www.61k.com]的解救方法，希望有养殖巴西木的朋友在养护过程中能多多注意观察，也希望本文对大家有所帮助，更多相关资料，敬请关注第一农经！

五 : 沟通漏斗：沟通漏斗-表现，沟通漏斗-原因及解决方法

沟通漏斗，是指工作中团队沟通效率下降的一种现象。指如果一个人心里想的是100％的东西，当你在众人面前、在开会的场合用语言表达心里100％的东西时，这些东西已经漏掉20％了，你说出来的只剩下80％了。

漏斗效应_沟通漏斗 -表现

沟通漏斗

1个团队要共同完成一项任务，必须要配合默契。1个企业要发展壮大，员工之间必须达成有效的合作，合作的默契源于沟通，是对沟通升华。在工作中尽可能较少沟通漏斗，才能达到更好的理解，才能更出色的完成工作。
沟通漏斗呈现的是1种由上至下逐渐减少的趋势，因为漏斗的特性就在于“漏”。对沟通者来说，是指如果1个人心里想的是100％的东西，当你在众人面前、在开会的场合用语言表达心里100％的东西时，这些东西已经漏掉20％了，你说出来的只剩下80％了。而当这80％的东西进入别人的耳朵时，由于文化水平、知识背景等关系，之存活了60％。实际上，真正被别人理解了、消化了的东西大概只有40％。等到着些人遵照领悟的40％具体行动时，已经变成20％了。一定要掌握一些沟通技巧，争取让这个漏斗漏的越来越少。

(www.61k.com]漏斗效应_沟通漏斗 -原因及解决方法

在沟通中，你心里所想的100%，他人行动时却只有20%，我们心里要说的话，为什么会层层漏掉？
第1个漏掉的20%（你心里说的100%，你嘴上说的80%）原因是：一、没有记住重点；二、不好意思讲。
解决办法：一、写下要点；二、请别人代讲。
第二个漏掉的20%（你嘴上说的80%，别人听到的60%）原因是：一、你自己在讲话时有干扰；二、他人在听话时有干扰；三、没有笔记。

解决办法：一、避免干扰；二、记笔记。
第3个漏掉的20%（别人听到的60%，别人听懂的40%）原因是：不懂装懂。
解决办法：一、质问；二、问他有没有其他想法。
第4个漏掉的20%（别人听懂的40%，别人行动的20%）原因是：一、没有办法；二、缺少监督。
解决办法：一、具体办法；二、监督到位。

漏斗效应_沟通漏斗 -重要性

沟通漏斗

团队在解决沟通漏斗的问题上应认识到了“沟通就是影响力”这个真理，对于有分歧的问题，及时的进行沟通，大事小事，及时进行讨论，如有必要，还可以通过会议的形式解决。员工在完成任务的过程中，及时向任务下达人进行回馈，如有偏离，及时纠正。团队每项工作都应有专人负责，对该工作有充分的认识。如遇问题，及时向有关人员进行沟通。除此之外，消除沟通屏障，及时向员工提供他们需要的信息，保质保量的完成每一项任务。

漏斗效应_沟通漏斗 -双语解读

Communicationfunnel 沟通漏斗gōutōnglòudǒu
Thephenomenonofdeclininginformationexchangeinteamcommunication.

Ifwhatonepersonwantstosayis100percent,thenwhathereallysaysis

80percent,andlistenersmayonlyhear60percentandunderstand40percent.

(互动百科与《环球时报》英文版联合推出)

本文标题：喘振的原因及解决方法-笔记本电脑显示器不亮的原因及解决方法
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