一 : 74ls164驱动数码管电路 74ls164应用电路_电路图
74ls164应用电路
本文采用了74LS164 这个串入并出的移位寄存器,很好地解决了2051 与L ED 的显示接口电路。
1 硬件电路
2051 余下的并行I/ O 口线不足8 根,数据的并行输出已不可能,但可以考虑串行输出方法,图1 给出串行口扩展的4 位L ED 显示接口电路。该电路只使用2051 的3 个端口,配接4 片串入并出移位寄存器74LS164 与1 片三端可调稳压器LM317T
3 结束语
本串行口扩展的LED 显示接口电路已被笔者成功地应用到以AT89C2051 单片机为核心的智能仪表中,如单片机湿度测量仪、单片机温度测量仪等。现场运行表明,LED 显示清晰稳定不闪烁,特别是在现场环境如光照强弱不同的情况下, 可以在线调整LED 发光的亮度,获得视觉与功耗的最佳效果。图1 串行口扩展的4 位LED显示电路.
74LS164是一个串行输入并行输出的移位寄存器，可用于扩展并行输出口。
74LS165是8位并行输入串行输出移位寄存器，可以扩展一个或多个8位并行I/O口
74LS164静态显示接口
用8051串行口外接74LS164扩展8位并行输出口，如图所示，8位并行口的各位都接一个发光二极管，要求发光管呈流水灯状态。 串行口方式0的数据传送可采用中断方式，也可采用查询方式，无论哪种方式，都要借助于TI或RI标志。串行发送时，可以靠TI置位（发完一帧数据后）引起中断申请，在中断服务程序中发送下一帧数据，或者通过查询TI的状态，只要TI为0就继续查询，TI为1就结束查询，发送下一帧数据。在串行接收时，则由RI引起中断或对RI查询来确定何时接收下一帧数据。无论采用什么方式，在开始通讯之前，都要先对控制寄存器SCON进行初始化。在方式0中将，将00H送SCON就可以了。
。www.61k.com)ORG 2000H
START: MOV SCON,#00H ;置串行口工作方式0
MOV A,#80H ;最高位灯先亮
CLR P1.0 ;关闭并行输出（避象传输过程中，各LED的"暗红"现象）
OUT0: MOV SBUF,A ;开始串行输出
OUT1: JNB TI,OUT1 ;输出完否
CLR TI ;完了，清TI标志，以备下次发送
SETB P1.0 ;打开并行口输出
ACALL DELAY ;延时一段时间
RR A ;循环右移
CLR P1.0 ;关闭并行输出
JMP OUT0 ;循环
;****************延时间200MS***************
DELAY: MOV R7,#4
DEL1: MOV R6,#200
DEL2: MOV R5,#125
DEL3: DJNZ R5,DEL3
DJNZ R6,DEL2
DJNZ R7,DEL1
RET
74LS164和单片机的通讯端口应用电路。
二 : 大功率mos管驱动电路原理
几种MOSFET驱动电路介绍及分析
1.1不隔离的互补驱动电路。
图7(a)为常用的小功率驱动电路，简单可靠成本低。适用于不要求隔离的小功率开关设备。图7(b)所示驱动电路开关速度很快，驱动能力强，为防止两个MOSFET管直通，通常串接一个0.5～1Ω小电阻用于限流，该电路适用于不要求隔离的中功率开关设备。这两种电路特 点是结构简单。
功率MOSFET属于电压型控制器件，只要栅极和源极之间施加的电压超过其阀值电压就会导通。由于MOSFET存在结电容，关断时其漏源两端电压的突然上升将会通过结电容在栅源两端产生干扰电压。常用的互补驱动电路的关断回路阻抗小，关断速度较快，但它不能提供负压，故抗干扰性较差。为了提高电路的抗干 扰性，可在此种驱动电路的基础上增加一级有V1、V2、R组成的电路，产生一个负压，电路原理图如图8所示。
当V1导通时，V2关断，两个MOSFET中的上管的栅、源极放电，下管的栅、源极充电，即上管关断，下管导通，则被驱动的功率管关断;反之V1关断 时，V2导通，上管导通，下管关断，使驱动的管子导通。因为上下两个管子的栅、源极通过不同的回路充放电，包含有V2的回路，由于V2会不断退出饱和直至 关断，所以对于S1而言导通比关断要慢，对于S2而言导通比关断要快，所以两管发热程度也不完全一样，S1比S2发热严重。
该驱动电路的缺点是需要双电源，且由于R的取值不能过大，否则会使V1深度饱和，影响关断速度，所以R上会有一定的损耗。
1.2隔离的驱动电路
(1)正激式驱动电路。电路原理如图9(a)所示，N3为去磁绕组，S2为所驱动的功率管。R2为防止功率管栅极、源极端电压振荡的一个阻尼电阻。因不要求漏感较小，且从速度方面考虑，一般R2较小，故在分析中忽略不计。
其等效电路图如图9(b)所示脉冲不要求的副边并联一电阻R1，它做为正激变换器的假负载，用于消除关断期间输出电压发生振荡而误导通。同时它还可以作为功率MOSFET关断时的能量泄放回路。该驱动电路的导通速度主要与被驱动的S2栅极、源极等效输入电容的大小、S1的驱动信号的速度以及S1所能 提供的电流大小有关。由仿真及分析可知，占空比D越小、R1越大、L越大，磁化电流越小，U1值越小，关断速度越慢。该电路具有以下优点：
①电路结构简单可靠，实现了隔离驱动。
②只需单电源即可提供导通时的正、关断时负压。
③占空比固定时，通过合理的参数设计，此驱动电路也具有较快的开关速度。
该电路存在的缺点：一是由于隔离变压器副边需要噎嗝假负载防振荡，故电路损耗较大;二是当占空比变化时关断速度变化较大。脉宽较窄时，由于是储存的能量减少导致MOSFET栅极的关断速度变慢。
(2)有隔离变压器的互补驱动电路。如图10所示，V1、V2为互补工作，电容C起隔离直流的作用，T1为高频、高磁率的磁环或磁罐。
导通时隔离变压器上的电压为(1-D)Ui、关断时为D Ui，若主功率管S可靠导通电压为12V，而隔离变压器原副边匝比N1/N2为12/[(1-D)Ui]。为保证导通期间GS电压稳定C值可稍取大些。该电路具有以下优点：
①电路结构简单可靠，具有电气隔离作用。当脉宽变化时，驱动的关断能力不会随着变化。
②该电路只需一个电源，即为单电源工作。隔直电容C的作用可以在关断所驱动的管子时提供一个负压，从而加速了功率管的关断，且有较高的抗干扰能力。
但该电路存在的一个较大缺点是输出电压的幅值会随着占空比的变化而变化。当D较小时，负向电压小，该电路的抗干扰性变差，且正向电压较高，应该注意使其 幅值不超过MOSFET栅极的允许电压。当D大于0.5时驱动电压正向电压小于其负向电压，此时应该注意使其负电压值不超过MOAFET栅极允许电压。所 以该电路比较适用于占空比固定或占空比变化范围不大以及占空比小于0.5的场合。
(3)集成芯片UC3724/3725构成的驱动电路
电路构成如图11所示。其中UC3724用来产生高频载波信号，载波频率由电容CT和电阻RT决定。一般载波频率小于600kHz，4脚和6脚两端产生 高频调制波，经高频小磁环变压器隔离后送到UC3725芯片7、8两脚经UC3725进行调制后得到驱动信号，UC3725内部有一肖特基整流桥同时将 7、8脚的高频调制波整流成一直流电压供驱动所需功率。一般来说载波频率越高驱动延时越小，但太高抗干扰变差;隔离变压器磁化电感越大磁化电流越 小，UC3724发热越少，但太大使匝数增多导致寄生参数影响变大，同样会使抗干扰能力降低。根据实验数据得出：对于开关频率小于100kHz的信号一般 取(400～500)kHz载波频率较好，变压器选用较高磁导如5K、7K等高频环形磁芯，其原边磁化电感小于约1毫亨左右为好。这种驱动电路仅适合于信 号频率小于100kHz的场合，因信号频率相对载波频率太高的话，相对延时太多，且所需驱动功率增大，UC3724和UC3725芯片发热温升较高，故 100kHz以上开关频率仅对较小极电容的MOSFET才可以。对于1kVA左右开关频率小于100kHz的场合，它是一种良好的驱动电路。该电路具有以下特点：单电源工作，控制信号与驱动实现隔离，结构简单尺寸较小，尤其适用于占空比变化不确定或信号频率也变化的场合。
三 : 5v单片机驱动BUCK电路的MOS管,求具体驱动电路或者方法!!
图一：适合开关频率不高的场合，一般低于2KHz。
其中R1=10K，R2 R3大小由V+决定，V+越高，R2 R3越大，以保证电阻及三极管功耗在允许范围，同时保证R2和R3的分压VPP=V+ 减10V，同时V+不能大于40V。
补充：
图二：适合高频大功率场合，到达100KHz没问题，同时可以并联多个MOSFET-P管
R2 R3需要满足和图一一样的条件，其实就是图一加了级推挽，这样就可以保证MOSFET管高速开关，上面6P小电容是发射结结电容补偿电容，可以改善三极管高速开关特性。另外：MOSFET的栅极电容较大，在使用的时候应该把它当成一个容抗负载来看。
补充：
最后需要说明的是，我给你全用的P沟道管，而没有N沟道，是因为在你的应用电路上使用N沟道管得话还需要一个自举电路来提升栅极电压，以保证MOS管完全导通，有点麻烦。
本文标题：大功率mos管驱动电路-74ls164驱动数码管电路 74ls164应用电路_电路图 61阅读| 精彩专题| 最新文章| 热门文章| 苏ICP备13036349号-1